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CMOS-Technik,

 

COSMOS-Technik, in der Halbleitertechnologie und Mikroelektronik Bezeichnung für eine Variante der MOS-Technik zur Herstellung von Halbleiterbauelementen und integrierten Schaltungen, bei der auf einem gemeinsamen Halbleitersubstrat ein oder mehrere CMOS-Feldeffekttransistoren erzeugt werden, die aus einem MIS-Feldeffekttransistor (FET) mit p-Kanal und einem dazu komplementären MIS-Feldeffekttransistor mit n-Kanal bestehen. Bei positiver Spannung an den Toren (Gates) leitet der n-Kanal-FET, bei negativer Spannung der p-Kanal-FET. Da beide Transistoren stets im Wechsel sperren und leiten, fließt praktisch kein Ruhestrom; nur während des Umschaltens sind sie kurzzeitig beide leitend, sodass ein nennenswerter Strom fließt. Derartige CMOS-Feldeffekttransistoren beziehungsweise -Schaltungen zeichnen sich durch besonders geringen Leistungsbedarf, durch geringe Störempfindlichkeit und hohe Temperaturstabilität sowie durch hohe Verarbeitungsgeschwindigkeit und großen Versorgungsspannungsbereich aus. Eine spezielle Variante ist der BMOS-Feldeffekttransistor, bei dem das Gate des einen FET mit seinem p-Bereich in das n-leitende Substrat des anderen FET eingebettet ist. - Die CMOS-T. ist besonders zur Fertigung von Bauelementen und integrierten Schaltungen geeignet, die sich in batteriebetriebenen Digitaluhren und -geräten sowie in der Kfz-Elektronik und Automatisierungstechnik verwenden lassen. Weiter werden mit ihr Speicherelemente und Mikroprozessoren sowie integrierte Schaltungen zur Verarbeitung von Analogsignalen gefertigt. Weiterentwicklungen sind die HCMOS-Technik und die LOCMOS-Technik.

 

Literatur:

 

G. Zimmer: CMOS-Technologie (1982);

 

CMOS-Tb., 2 Bde. (^5-111994).